本文指出：行业半导体设备的领先供应商GigadeVice最近宣布了GD5F1GM9系列高速QSPINAND FLASH的推出。通过降低阅读速度和创新的不良区块管理（BBM）的创新操作，该系列可以有效地解决传统的SPI NAND闪光灯中的痛苦行业点，响应缓慢，并且容易受到严重干扰。由于新解决方案巧妙地结合了Nor Flash高速阅读的好处以及NAND Flash巨大容量和低成本的好处，因此启动GD5F1GM9系列将为SPI NAND Flash带来新的开发机会，并且是诸如安全，行业和IoT等应用程序的快速启动。 GD5F1GM9系列高速NAND Flash发布了24nm节点过程，并支持两个内置的操作电压，包括8位ECC，3V和1.8V，以及不同的高速阅读模式，例如连续阅读，阅读CACHE，下一页上的自动加载等，它为各种集成设计解决方案提供了用户。与传统的SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列留下了计算串行到ECC设计的原始方法，并实现了复杂ECC算法的并行计算，该计算大大缩短了内置ECC的计算时间。这一系列3V产品的最大时钟频率为166MHz，在连续阅读模式下持续的阅读率可以达到83MB/s； 1.8V产品的最大时钟频率为133MHz，在连续阅读模式下可以达到66MB/s的连续阅读率。 kakabahulthis是相同的频率，在传统的SPI产品中，阅读GD5F1GM9系列的速度可以达到2至3倍。该设计的优势可以有效提高访问设备数据的效率，大大缩短系统启动时间，并进一步降低系统强度消耗。解决传统NAS的不良问题GD5F1GM9系列的闪光灯块引入了高级坏块管理（BBM）功能。此功能使用户可以通过更改物理块地址和逻辑块地址之间的映射关系来有效地应对不良工厂块的挑战，并在使用过程中添加不良块。一方面，传统的NAND闪光灯可以在factory时被不良块随机分布。如果这些不良块出现在前代码的区域中，则会导致NAND闪光灯无法正常使用。 GD5F1GM9系列可以确保前256个块是通过不良块管理（BBM）功能的工厂块，从而确保代码区域的稳定性。另一方面，在使用时，NAND Flash可以具有新的不良块。传统解决方案需要大量的冗余块，用于不同分区中的不良块，从而导致严重的资源浪费。 GD5F1GM9系列的不良块管理（BBM）功能提供用户完善逻辑和物理地址。再次提供损坏的不良块地址，并且需要保留最小冗余块，路径功能不仅可以显着改善资源的使用，而且有效地简化了系统设计。 Zhaoyi创新存储业务部副总裁兼总经理Su Ruwei说：“目前，阅读速度通常很慢，这已成为一种重要的瓶颈，可以防止终端产品的性能提高。” "The launch of the GD5F1GM9 series high-speed QSPI is flash has set a new performance benchmark in the market. This series is not only effectively makes up for the shortcomings of traditional SPI NAND flash in reading speed, but also provides new solutions for bad block management, which can become an ideal alternative for nor flash users Under the expansion requirementsLukuyan, the Zhaoyi Innovation GD5F1GM9 series can provide two voltage options: 1GB电容Y和3V/1.8V，并支持WSON8 8x6mm和WSON8 6x5mm，BGA24（5x5球阵列）5x5 Ball Package选项。有关更多信息和产品定价，请联系您当地的销售代表。